BALLUFF位移傳感器產品的資料/巴魯夫傳感器價格
BALLUFF位移傳感器產品的資料薄膜傳感器 厚膜傳感器陶瓷傳感器 　　集成傳感器是用標準的硅基半導體集成電路的工藝技術制造的。通常還將用于初步處理被測信號的部分電路也集成在同芯片上。 　　薄膜傳感器則是通過沉積在介質襯底（基板）上的，相應敏感材料的薄膜形成的。使用混合工藝時，同樣可將部分電路制造在此基板上。 　　厚膜傳感器是利用相應材料的漿料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后進行熱處理，使厚膜成形。 　　陶瓷傳感器采用標準的陶瓷工藝或其某種變種工藝（溶膠-凝膠等）。 　　完成適當的預備性操作之后，已成形的元件在高溫中進行燒結。厚膜和陶瓷傳感器這二種工藝之間有許多共同特性，在某些方面，可以認為厚膜工藝是陶瓷工藝的種變型。 　　每種工藝技術都有自己的優(yōu)點和不足。由于研究、開發(fā)和所需的資本投入較低，以及傳感器參數的高穩(wěn)定性等原因，采用陶瓷和厚膜傳感器比較合理。
balluff BTL5-T110-M0150-B-S103
balluff BTL5-T110-M1750-B-S103
balluff BTL5-T110-M2000-B-S103
balluff BNS813-B02-R12-61-A-20-01
balluff BNS819-B03-D12-61-12-10
balluff BOS26K-PA-1LQP-S4-C
balluff BTL5-A11-M0400-P-S32
balluff BTL5-S172-M0100-P-KA05
balluff BTL5-C10-M0100-B-S 32
balluff BTL5-A11-M0360-P-S32
balluff BES 516-300-S 164-S 4-D
balluff BTL5-E10-M0150-K-SR32
BNS 816-B03-KHG-12-610-11
BNS 819-B02-L12-61-12-10
BNS 819-D02-D16-100-10-FE
BNS 816-B03-KHG-16-602-11
BNS 819-B02-L16-61-16-10
BNS 819-D02-D16-62-10
：\39526590\39529839/39529830轉8005或者8002
//
\39529831\39529839\39529839-8007或者8008
/
公司;
；單榮兵/余娟
BALLUFF位移傳感器產品的資料/巴魯夫傳感器價格
BNS 819-B02-R08-40-10
BNS 819-D02-D16-62-10-FD
BNS 816-B03-NA-12-610-11
BNS 819-B02-R08-40-11
BNS 819-D02-K12-100-10
BNS 816-B03-NA-16-602-11
BNS 819-B02-R08-40-12
BNS 819-D02-K12-100-10-FD
BNS 816-B03-PA-12-602-11
BNS 819-B02-R08-40-13
BNS 819-D02-K12-100-10-FE
BNS 816-B03-PA-12-610-11
balluff BTL5-E10-M0100-B-S 32
balluff BTL5-E10-M0300-B-KA10
balluff BTL5-E17-M0500-P-S32
balluff BTL5-E17-M1700-P-S32
balluff BTL5-S172-M0300-A-MA285-KA10
balluff BTL5-E10-M2000-P-KA05
balluff BTL5-T110-M0300-P-S103
balluff BES-516-325-E5-C-S4
balluff BTL5-E10-M1200-P-S32
balluff BTL5-E10-M0125-K-SR32
balluff BES516-300-S 266-S 4
balluff BTL5-C10-M0100-B-S32
balluff BTL5-T110-M0700-B-S103
balluff BKS-S48-15-CP-02
balluff BTL5-T110-M1000-B-S103
balluff BTL5-S112-M0200-B-KA15
balluff BTL5-S112-M0200-B-KA10
balluff BTL5-S102-M0200-P-S32
balluff BTL5-S102-M0700-P-S32
balluff BTL5-S102-M0300-P-S32
balluff BTL5-A11-M0130-P-S32
balluff BTL5-T110-M0150-B-S103